人生100歳だというが　渡部弘行

韓国の半導体コア技術を中国会社に流出した罪で起訴された三星（サムスン）電子の元部長に対し、１審で懲役７年の重刑が言い渡された。技術流出犯罪に対する１審判決の中で、これまで最も重い量刑となる。

ソウル中央地裁刑事合議２５部は１９日、産業技術の流出防止および保護に関する法律違反の罪がもたれているキム被告に対し、懲役７年と罰金２億ウォンを判決し、法廷拘束した。

キム被告と共謀した罪で起訴された三星電子の協力会社の元職員のバン被告に対しては、懲役２年６ヵ月が言い渡された。

裁判所は、「キム被告は、国家の主要技術である１８nmDRAM半導体工程関連情報を流出し、これを使う段階に至った」とし、「中国メーカーがこれを利用して製品量産に成功するなど、三星電子が被った被害は膨大な金額に達すると予想される」と説明した。さらに、「健全な競争と秩序を深刻に阻害し、実際に大韓民国の国家産業経済に悪影響を与えかねない犯罪で、その被害は軽くない」と指摘した。

三星電子に２０年以上勤めたキム被告は、２０１６年、中国に転職する過程で、１８nmDRAM半導体工程情報など７つの資料を流出し、中国半導体メーカーの長鑫メモリテクノロジー（ＣＸＭＴ）の製品開発に使わせた罪で昨年１月に起訴された。ＣＸＭＴは、中国唯一のDRAM生産会社だ。検察は、ＣＸＭＴがキム被告から受け取った情報のおかげで、半導体技術の障壁を越えたと見て懲役２０年を求刑した。

裁判所は、キム被告グループが流出した半導体装置納入会社のユジンテックの資料などは、産業技術保護法に該当する技術関連ではないと見て、一部無罪の判断を下した。また、彼らには罰金刑を超過する刑事処罰を受けた前歴がなく、技術流出だけが中国メーカーの急速な成長の理由とは見られない点などを考慮したと量刑の理由を明らかにした。

キム被告は、判決に先立っての最終陳述で「一般技術だと思ったし、投資家に広報資料として使うことにしたので、資料を皆一緒に準備した」とし、「このようなことがなかったら、気楽に暮らしたはずの後輩たちと家族たちに対し、誠に申し訳ない」と話した。

長鑫メモリテクノロジー（ＣＸＭＴ）は２０１７年に設立され、翌年19nmDRAMを１２インチウェハーで完成した。2019年には10nm 8GbDDR4の量産を開始している。企業価値は1兆1千億円といわれている。この会社は数十億円をキム等に支払ったという。

韓国人による技術流出の逮捕者は数十人に上る。特に半導体や液晶に多いからシェアを失うのも当然である。