人生100歳だというが　渡部弘行

特願2020-180012（2020.10.12出願）が公開された。特開2022-63814はウェットゲルに希フッ酸や希フッ化アンモニウムで湿式処理し、焼成することで、Si-Fの構造を合成シリカに導入する。驚くべきことに合成シリカの純度が向上する。また当然のことであるが、粘性もF含有量によって下がる。フッ酸は特化物規定に抵触しない濃度で行う、例えば２，３％である。重要なのは洗浄後のF濃度を管理することである。それによって焼成後のF濃度が決まる。もちろん再度ウェットゲルを希塩酸で処理すればFを除くことも可能だ。たいていの特許を見ると光ファイバー用に３０００ｐｐｍくらいを入れることが行われるが、３０００ｐｐｍ入れると合成石英ガラスの特性が変わり、溶融後に割れたりする。実際の我々の製品では１０から５０ｐｐｍ程度を入れている。Fを３０ｐｐｍくらい入れるとＯＨ含有量もほとんどゼロに近い数値となる。これをプラズマで溶融するとＯＨフリーの無気泡のインゴットが得られる。ただ高温部材としては使用しにくい。

この特許は光学用の合成シリカ粉であり、半導体用は、真空焼成を行う。真空焼成は短時間でOHフリーが得られる。このプラズマ溶融品は天然石英ガラスより粘性が高い。